《日本展出利用氧化镓制造的深紫外传感器》PDF+DOC
作者:
单位:北京信息科技大学
出版:《传感器世界》2014年第11期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGSJ2014110140
DOC编号:DOCCGSJ2014110149
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今年10月7日~11日,在日本召开的“CEATEC JAPAN 2014”上,日本田村制作所首次展示了一种使用氧化镓(Ga2O3)的深紫外传感器。据田村制作所介绍,因带隙扩大至4.8e V,该产品可以检测出260nm的深紫外光。在使用半导体的深紫外传感器中,有的产品使用AlGaN类半导体。与这些产品相比,新传感器的特点是,无需在氧化镓基板上进行半导体的外延生长,只需形成电极等,即可使其作为深紫外传感器发挥功能。
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