作者: 单位:北京信息科技大学 出版:《传感器世界》2014年第11期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGSJ2014110140 DOC编号:DOCCGSJ2014110149 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 今年10月7日~11日,在日本召开的“CEATEC JAPAN 2014”上,日本田村制作所首次展示了一种使用氧化镓(Ga2O3)的深紫外传感器。据田村制作所介绍,因带隙扩大至4.8e V,该产品可以检测出260nm的深紫外光。在使用半导体的深紫外传感器中,有的产品使用AlGaN类半导体。与这些产品相比,新传感器的特点是,无需在氧化镓基板上进行半导体的外延生长,只需形成电极等,即可使其作为深紫外传感器发挥功能。

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