作者：张为,姚素英,张生才,曲宏伟,刘艳艳,张维新 单位：西安电子科技大学 出版：《西安电子科技大学学报》2002年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXDKD2002010340 DOC编号：DOCXDKD2002010349 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 讨论了改善多晶硅高温压力传感器温度特性的 3种措施 ：用四甲基氢氧化铵溶液代替氢氧化钾溶液作硅杯各向异性腐蚀剂 ；优化多晶硅压敏电阻的掺杂浓度 ，实现传感器灵敏度温度漂移自补偿 ；在传感器芯片上加做温敏电阻 ，通过调节激励源的温度特性 ，进一步减小传感器灵敏度温度系数 .采用以上措施 ，使多晶硅压力传感器有良好的高温稳定性 ，灵敏度温度系数绝对值小于 2&#215； 10 -4/℃ 。

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