作者：胡少坚,夏冠群,冯明,詹琰,陈新宇,蒋幼泉,李拂晓 单位：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;中国材料研究学会 出版：《功能材料与器件学报》2003年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGNCQ2003010090 DOC编号：DOCGNCQ2003010099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 成功地设计并制造出GaAsMESFET霍尔开关集成电路。该电路采用了方形霍尔元件，绝对灵敏度为704mV/T；信号处理电路由差分放大电路和触发电路组成，触发电路结构类似于SCFL的D触发器。结果表明，开关性能良好，工作点合理，达到设计要求。实验结果还表明，霍尔元件和放大电路可构成灵敏度很高的霍尔线性集成电路。

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