作者：赵本刚,张爽,吴玉军,何月华,陈丽华,全宝富 单位：中国电子学会;中国电子元件行业协会 出版：《电子元件与材料》2003年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZAL2003040060 DOC编号：DOCDZAL2003040069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 在1 100℃，以高温固相法制备了NASICON材料，但由于反应温度过高，造成材料中磷成分的损失， 因而采用气态补磷系统进行改性研究。经过大量实验，得到了比较适宜的补磷条件。通过XRD、IR、XPS对改性后的材料表征，说明材料具有单斜结构并且组分纯净。通过气态补磷，NASICON中磷的含量从3.4%上升到4.9%，从而加大了材料的电导率，器件的灵敏度也相应增加，曲线斜率由57.6上升为补磷后的65.1。

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