作者：张中平 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2002年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2002040000 DOC编号：DOCYBJS2002040009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 主要介绍在制作一种压阻式微硅高 g(g =9 8m/s2 ，微重力加速度值 )加速度传感器的过程中 ，所遇到的工艺问题及其解决方法。并较详细地叙述了涉及到的键合 (SDB)、双面光刻及传感器几何图形的精确控制等关键技术。

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