作者：王祖军,林东生,刘敏波,黄绍艳,肖志刚 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2014年第06期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2014060010 DOC编号：DOCBDTG2014060019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《CMOS有源像素传感器的中子辐照位移损伤效应》PDF+DOC2015年第09期 汪波,李豫东,郭旗,文林,孙静,王帆,张兴尧,玛丽娅 《基于SOI工艺的高可靠有源像素研究》PDF+DOC2013年第06期 田犁,苗田乐,危峻,汪辉 《适用于昼夜视觉的微光CIS》PDF+DOC2016年第03期 潘京生,郭一亮,顾燕,李燕红,孙建宁,张勤东,苏德坦 《CPLD在CMOS图像传感器驱动电路中的应用》PDF+DOC2005年第04期 曹昕燕 《CMOS图像传感器的最新进展及其应用 (续)》PDF+DOC2003年第04期 程开富 《CMOS图像传感器与CCD的比较及发展现状》PDF+DOC2001年第S1期 宋勇,郝群,王涌天,王占和 《一种新型CMOS图像传感器的设计》PDF+DOC 孙鲁,赵慧元,苏秉华 《大面阵CMOS APS相机系统的设计》PDF+DOC2009年第12期 刘新明,刘文,刘朝晖 《一种高填充率的CIS有源像素结构研究与设计》PDF+DOC2007年第09期 刘激扬,姚素英,李斌桥 《高动态图像传感器及其有源像素》PDF+DOC2013年第10期

    • 互补金属氧化物半导体(CMOS)有源像素(APS)图像传感器作为光电成像系统的核心器件，被广泛应用在空间辐射或核辐射环境中，辐照损伤是导致其性能退化，甚至功能失效的主要原因之一。阐述了不同辐射粒子或射线辐照损伤诱发CMOS APS图像传感器产生位移效应、总剂量效应和单粒子效应的损伤物理机制。综述和分析了辐照损伤诱发CMOS APS图像传感器暗信号增大、量子效率减小、饱和输出电压减小、噪声增大以及暗信号尖峰和随机电码信号(RTS)产生的实验规律和损伤机理。归纳并提出了CMOS APS图像传感器辐照损伤效应研究亟待解决的问题。

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