作者：陈裕权 单位：中国电子科技集团公司第五十五研究所 出版：《》 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDXX2003060300 DOC编号：DOCBDXX2003060309 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 美国哥伦布传感器电子技术公司(SET)的金属-氧化物-半导体异质结构场效应晶体管(MOSHFET)获得专利。这种AlGaN/GaN器件有望成为第一个市售化合物半导体MOS晶体管。在该专利器件中，有一层介电层安置在栅接触与AlGaN/GaN异质结之间，用以阻挡栅泄漏电流，使得漏电流和击穿电压更高。这种AlGaA/GaN基晶体管之所以采用MOS结构，是因为该器件沟道中的电子薄

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