作者:高伟,YamadaTomohiko,FurukawaMasaru,NakamubaTomohisa,ShimizuHiroki,KiyonoSatoshi 单位:中国微米纳米技术学会;天津大学 出版:《Nanotechnology and Precision Engineering》2003年第01期 页数:8页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFNMJM2003010160 DOC编号:DOCNMJM2003010169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 描述了一种基于斜率传感器的大型硅晶片平面度扫描测量系统.采用二维斜率传感器对晶片表面扫描,以获得表面绕X和Y轴的倾斜度.斜率传感器装在X向滑板上,而晶片固定在可绕Z轴转动的主轴上.对斜率传感器Y向的输出积分,得到晶片表面各个同心圆上轮廓截面高度.对斜率传感器X向的输出积分,得到晶片表面沿X向的截面轮廓,从而获得各同心圆轮廓之间的关系.构建了一个包括基于自准直原理的小型斜率传感器、气浮主轴、气浮导轨的实验系统,提出一种斜率传感器现场标定方法.用此系统测量了直径300 mm的硅晶片平面度。

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