作者：胡国清,龚小山,周永宏,邹崇,Jahangir Alam 单位：华南理工大学 出版：《华南理工大学学报(自然科学版)》2015年第03期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHNLG2015030020 DOC编号：DOCHNLG2015030029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《可对多参数测量的硅传感器系统的研制》PDF+DOC1999年第04期 郑建邦,屈晓声 《可对多目标测量的硅传感器系统》PDF+DOC1998年第04期 屈哓声,张声良,吴洪才 《压阻式压力传感器C型结构偏差的有限元分析》PDF+DOC1995年第04期 吴坚民,唐祯安,牛德芳 《新型集成压力传感器的研究》PDF+DOC1996年第06期 张维新,毛赣如,曲宏伟,姚素英,李建文 《压阻型α((6H)碳化硅压力传感器可在高达600℃的高温下工作》PDF+DOC1997年第02期 Roger Allan ,晓萍 《C型压力传感器结构偏差对传感器灵敏度的影响》PDF+DOC1996年第09期 丁艳萍,吴坚民,郑殿忠 《扩散硅精密数字压力计》PDF+DOC1995年第09期 张秀珍,杨魁,林治安 《用于传感器、执行器及微结构制备中的硅熔键合》PDF+DOC1991年第03期 PHILIPW.BARTH ,黄如 《高功能化传感器综述》PDF+DOC1991年第04期 王峻山 《冰堵位置检测传感器的优化设计》PDF+DOC2006年第03期 郝娇,陈宝忠,陈立

    • 为分析硅压力传感器基座受力变形对传感器输出性能的影响，首先利用弹性力学理论和板壳理论分析推导了压力传感器方形膜片应力分布，为力敏电阻在应变膜上的布置提供依据；再利用ANSYS进行分析模拟，探究了传感器基座结构变形对应变膜应力差的影响；然后针对减小基座受力变形对芯片受力的影响，对基座结构进行适当优化，并对比仿真分析的结果；最后通过实验测得优化前后的传感器输出数据.结果表明，传感器基座结构优化后，传感器硅芯片中心最大变形量从2.172μm降低到1.819μm，输出误差从0.95%下降到0.60%。

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