作者：邓永和 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2003年第06期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2003060100 DOC编号：DOCBDTQ2003060109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 报道了用激光束成像法对双E型传感器的硅弹性膜在不同压力情况下的应变进行的研究，并测出该弹性膜的应变情况。此方法对其他形式的敏感芯片应变的研究具有一定的参考价值。

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