作者：周俊,王晓红,姚朋军,董良,刘理天 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》2003年第07期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX2003070020 DOC编号：DOCBDTX2003070029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 分析并设计了一种利用高选择自停止的多孔硅牺牲层技术制作压阻式加速度传感器的工艺 ，并利用外延单晶硅作为传感器的结构材料 ，这种工艺能精确地控制微结构的尺寸 .利用多孔硅作牺牲层工艺 ，使用加入硅粉和(NH4 ) 2 S2 O8的 TMAH溶液通过在薄膜上制作的小孔释放多孔硅 ，能很好地保护未被覆盖的铝线 .该工艺和标准的 CMOS工艺完全兼容 。

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