作者：唐世洪,邓永和,叶伏秋,刘生长 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2003年第05期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2003050030 DOC编号：DOCCGQJ2003050039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 用激光束成像法对双E型传感器的硅弹性膜应变进行的研究，测出了该弹性膜的应变情况，此方法对其它结构形式的敏感芯片应变的研究也有一定的参考价值。

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