作者：曲炳郡,任天令,刘华瑞,刘理天,库万军,李志坚 单位：中国仪器仪表学会 出版：《仪器仪表学报》2003年第S2期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYQXB2003S21220 DOC编号：DOCYQXB2003S21229 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 研制了一种传统结构的上钉扎巨磁电阻自旋阀，其结构为：Ta(6nm)/Ni_(8)Fe_(19)(4.5nm)Co_(90)Fe_(10)(1nm)/Cu(1.8nm)/Co_(90)Fe_(10)(3.5nm)/Ir_(20)Mn_(80)(11nm)/Ta(3nm)。该自旋阀磁电阻变化率大(9.15％)，交换场高(约200Oe)，矫顽力低(0.85Oe)，灵敏度高，且具有良好的热稳定性，加之与IC工艺兼容，因而是一种制作集成磁场传感器的理想结构。

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