作者：林伟,黄世震,赖云锋 单位：福州大学 出版：《福州大学学报(自然科学版)》2003年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFFZDZ2003040140 DOC编号：DOCFZDZ2003040149 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 通过反应溅射 ，以硅基片 (表面上有白金加热电极 )为基底制作H2 S薄膜气敏元件 .实验表明 ，纳米SnO2 对H2 S具有较高的敏感度 ，对干扰气体的选择性较好 .性能测试表明 ，元件的特性与敏感材料的厚度、溅射气压等工艺参数有关系 ，但敏感材料的厚度对元件的特性起着决定性的作用 ，气敏薄膜有一个最佳厚度范围 .通过X射线衍射仪进行材料的微观分析 ，表明SnO2 的平均粒径大小为 8.5nm 。

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