作者:廖波,谢君堂,仲顺安,王静静,张大成,李婷,郝一龙,罗葵 单位:中国科学院;国家自然科学基金委员会 出版:《中国科学:技术科学》2003年第03期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFJEXK2003030020 DOC编号:DOCJEXK2003030029 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《纳米Si薄膜场发射压力传感器研究》PDF+DOC 廖波,韩建保,林鸿溢,王越 《场发射压力传感器的研究进展》PDF+DOC2000年第06期 廖波,林鸿溢,王越 《纳米硅薄膜的量子特征及其应用前景》PDF+DOC 刘宏,何宇亮 《纳米硅薄膜超微压力传感器设计与性能研究》PDF+DOC2010年第10期 沈思国,丁建宁,潘海彬,凌智勇,程广贵,范真 《棒束花状α-Fe_2O_3的制备及其气敏特性》PDF+DOC2016年第01期 马健,寇雪莹,丁梦迪,张红,孙彦峰 《纳米线传感器件的研究及其应用》PDF+DOC2015年第03期 彭英才,刘利,范志东,周子淳,刘绰 《碳纳米管压力传感器研究进展》PDF+DOC2011年第03期 张锦文,李伟 《2013年度上海市自然科学奖获奖项目展示》PDF+DOC2014年第04期 《SOI基纳米硅薄膜超微压压力传感器研究》PDF+DOC2013年第12期 许高斌,李凌宇,陈兴,马渊明 《柔性可穿戴传感器发展现状》PDF+DOC2017年第10期 娄正,沈国震
  • 设计研制了一种基于量子隧道效应机制的场发射压力传感器原型器件,用CVD技术制备了粒径为3~9 nm,厚度为30~40 nm的纳米硅薄膜,并同时把这种低维材料引入到传感器阴极发射尖锥的制作,形成纳米硅薄膜为实体的发射体结构.用HREM及TED分析了纳米硅态的显微特性,用场发射扫描电子显微镜SEM分析了发射体及阵列的微观结构,用HP4145B晶体管参数测试仪考察了传感器件的场发射特性.实验结果表明,当外加电场为5.6×103V/m时,器件有效区域发射电流密度可达53.5A/m2。

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