作者：邓永和,李玉琮,许迈昌 单位：工业和信息化部电子第五研究所 出版：《电子产品可靠性与环境试验》2003年第05期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZKH2003050130 DOC编号：DOCDZKH2003050139 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 介绍了最新设计的双E型硅传感器芯片的结构及其形成工艺。通过控制不同的敏感硅芯片弹性膜的 厚度，即可制得不同量程的双E型敏感硅芯片和加速度传感器。

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