作者：裴志军,国澄明,姚素英,赵毅强 单位：信息产业部南京电子器件研究所 出版：《光电子技术》2003年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDJS2003040060 DOC编号：DOCGDJS2003040069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 在深亚微米 CMOS技术 ，传统 CMOS图像传感器像素结构如 PD、PG等受到极大挑战 ，为了获得良好摄像质量 ，需要一些 CMOS生产工艺的改变和像素结构的革新

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