作者：金湘亮,陈杰,仇玉林 单位：中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版：《Journal of Semiconductors》2003年第09期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTX2003090050 DOC编号：DOCBDTX2003090059 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 提出一种CMOS图像传感器像素中MOSFET晶体管的栅感应噪声原理 .分析表明MOSFET工作于强反型区的栅感应噪声比工作于亚阈值区明显 ，但当施加在栅极电压达到 3V时 ，随着ω/ωT 比值的增加 ，MOSFET工作于亚阈值区的栅感应噪声比工作于强反型区明显 .同时详细分析了有源像素 (APS)中的RESET晶体管的栅感应噪声的影响并提出抑制栅感应噪声的电路

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