作者：詹自力,徐甲强,蒋登高 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2003年第03期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2003030010 DOC编号：DOCCGQJ2003030019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 氧化铟作为一种新的气敏材料，有望在一定程度上解决现有气体传感器中存在的选择性差和工作温度高等问题。因此，按照被检测气体的种类，从In2O3的气敏材料制备及气敏性能两方面对现有性能较好的In2O3气体传感器进行了评述，并指出了In2O3基半导体气体传感器的发展方向。

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