作者：张威,王阳元 单位：中国电子学会 出版：《电子学报》2003年第11期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZXU2003110320 DOC编号：DOCDZXU2003110329 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《CMOS集成硅压力传感器》PDF+DOC1988年第05期 T.Ishara,杨正中 《单块集成压阻式压力传感器》PDF+DOC1985年第05期 吴宪平,鲍敏杭 《集成压力传感器的精度计算(一)》PDF+DOC1984年第02期 钟读策 《多晶硅高温压力传感器的温度特性》PDF+DOC2002年第01期 张为,姚素英,张生才,曲宏伟,刘艳艳,张维新 《MEMS高温压力传感器研究与进展》PDF+DOC2009年第11期 张冬至,胡国清,陈昌伟 《微型压阻式压力传感器的研制》PDF+DOC1997年第01期 朱作云,李跃进,王文襄 《压力传感器和优化设计》PDF+DOC1995年第01期 萧敬勋,杨庆新 《低差压硅集成压力传感器》PDF+DOC1981年第05期 周丽芳,牛德芳,胡静山 《高温压力传感器温度漂移补偿研究》PDF+DOC2005年第02期 王权,丁建宁,王文襄,范真 《ADXL103加速度传感器在汽车安全技术中的应用》PDF+DOC2010年第01期 张晓玉

    • 高温压力传感器因其特殊的应用环境而日益受到人们的重视 .一些特殊的材料如SiC、SOI等可以用来制作高温压力传感器 ，但是由于成本较高或加工难度大等原因 ，尚未得到广泛应用 .本文提出了一种新型的高温压力传感器 ，采用多晶硅作为压敏电阻 ，同时采用新的工艺措施与全耗尽CMOS放大电路集成在一起 ，将输出电压转换为 0～ +5V的输出信号 .通过模拟与投片实验 ，得到了优化的多晶硅注入浓度 ，从而使其压阻温度系数在 - 4 0℃～ 180℃范围内接近于零 。

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