作者：倪智琪,姚素英,张生才,赵毅强,张为,张维新 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2003年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2003010220 DOC编号：DOCCGJS2003010229 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 利用有限元分析方法、借助 ANSYS软件 ，对 SOI单晶硅压力传感器进行一系列的分析和计算机模拟 ，探讨了传感器应变膜在固定宽度或固定面积条件下、宽长比对理论输出的影响 ，以及应变膜厚度对理论输出的影响 ，给出了设计应变膜的优化方案 ；并对根据模拟结果首次制作的 SOI单晶硅压力传感器进行了测量 ，结果与理论值符合得较好

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