作者：李斌,刘百勇,郑学仁,黎沛涛 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2003年第05期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2003050010 DOC编号：DOCYBJS2003050019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 重点阐述了在薄膜SOI上制成的扩展电阻温度(SRT)传感器的阻温特性(R-T)。利用器件二维模拟软件PISCES研究了最高工作温度(T_(max))的Si膜厚度效应，模拟结果表明，在相同的衬底掺杂浓度下，Si膜厚度越薄，器件的T_(max)越高。实验结果也验证了这一点，薄膜SOISRT传感器不仅具有非常好的器件特性，T_(maxm)高至450℃以上，而且它的工作偏置电流低至1μA，比体Si SRT传感器小10~3倍。因此，薄膜SOISRT传感器具有很广阔的低功耗应用前景。

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