《氯酸根离子敏感化学传感器的研究》PDF+DOC
作者:黄战龙
单位:陕西中医药大学
出版:《陕西中医药大学学报》2003年第05期
页数:2页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFSXXY2003050420
DOC编号:DOCSXXY2003050429
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用乙基紫修饰离子敏感场效应晶体管 (ISFET)制成氯酸根离子敏感器件。该器件的斜率为5 4mv/decade ,线性响应范围为 1 .0×; 1 0 - 1 ~ 7.0×; 1 0 - 5mol.l- 1 ,检测下限为 5 .0×; 1 0 - 5mol.l- 1 ,回收收率 97.2 %~ 1 0 9‰。
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