《阵列化锰铜高压传感器的研制》PDF+DOC
作者:段建华,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》2003年第10期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ2003100090
DOC编号:DOCCGQJ2003100099
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通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜式锰铜传感器。采用熔融石英材料作为绝缘基板。在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜。并在敏感薄膜的上面沉积SiO2封装层薄膜。根据“后置”式传感器由阻抗匹配原则,计算出铝靶板中的最高压力为51.68GPa,SiO2封装材料中的压力为35.396GPa。
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