作者:段建华,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》2003年第10期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ2003100090 DOC编号:DOCCGQJ2003100099 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《薄膜锰铜计对100GPa动压的测量》PDF+DOC2001年第09期 杨邦朝,杜晓松 《薄膜式锰铜传感器的超高压力标定》PDF+DOC2001年第S1期 杜晓松,郝建德,杨邦朝,周鸿仁 《阵列式薄膜锰铜传感器的研究》PDF+DOC2005年第04期 滕林,杨邦朝,杜晓松 《锰铜薄膜超高压力传感器研究》PDF+DOC2003年第01期 杜晓松 《薄膜式锰铜传感器——一种新型的超高压力传感器》PDF+DOC2000年第01期 杜晓松,杨邦朝,王卉 《一代新型温度传感器》PDF+DOC1991年第03期 武蕴忠,孙承龙,徐梅芳,褚卫兵,丁青,李生强 《箔式锰铜传感器的新进展》PDF+DOC2005年第12期 崔红玲,杨邦朝,杜晓松,周鸿仁,滕林 《超高压力传感器绝缘封装薄膜的工艺研究》PDF+DOC2004年第12期 崔红玲,杨邦朝,杜晓松,滕林,周鸿仁 《锰铜传感器保护介质对雷管输出记录波形的影响》PDF+DOC2004年第05期 韩秀凤,严楠,蔡瑞娇 《快响应薄膜式高压锰铜传感器》PDF+DOC2001年第01期 杜晓松,杨邦朝,王卉
  • 通过传感器的结构设计、敏感材料和封装材料的研制以及采用新的传感器制备工艺,制作了一种新型的薄膜式锰铜传感器。采用熔融石英材料作为绝缘基板。在绝缘基板上沉积锰铜敏感薄膜。并在敏感薄膜的上面沉积SiO2封装层薄膜。根据“后置”式传感器由阻抗匹配原则,计算出铝靶板中的最高压力为51.68GPa,SiO2封装材料中的压力为35.396GPa。

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