作者：郑鑫,黄钊洪 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2003年第11期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2003110010 DOC编号：DOCCGSJ2003110019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文设计的振动传感器是一种利用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比，这种传感器的灵敏度更高、频率响应范围更宽。经实测，其提供的电信号的信噪比大于60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制开关、自动控制开关等。

    📙 相关资料

    1. 《新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器》PDF+DOC 研制的振动传感器是一种利用锑化铟 铟 (InSb In)共晶体薄膜磁阻元件的磁阻效应的新型振动传感器。与用普通压电陶瓷片或电感线圈构成的振动传感器相比 ，这种传感器的灵敏度更高 ，频率响应宽。经实测 ，其提供的电信号的信噪比大于 60dB。这种振动传感器适用于物体振动检测、防盗报警、振动锁、运动控制......
    2. 《新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计》PDF+DOC 介绍了一种用InSbIn共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器。它由两对对称轴方向互相垂直的InSbIn磁敏元件构成，可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面，并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理，应用中可提高检测信号的准确性。经实测，在机械振动的中低频率检测范围内，传感器的有效频......
    3. 《基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用》PDF+DOC 介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器(MRCS)。为了检测微弱电流，此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的，设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为50~10000倍、，待测的50Hz交流电流在50mA~1......
    4. 《磁阻效应增强型锑化铟红外光电传感器》PDF+DOC 发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后 ，对脉冲变化的红外光的照射 ，它的输出信号增强了。采用灵敏度 K1=3 .6 ，K2 =1 .0 2 (B=0...
    5. 《准全方位InSb-In磁阻式振动传感器》PDF+DOC 本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。其半导体磁头由位于上下方的两对方向垂直的 InSb-In 磁敏元件构成，将检测方位范围由一维空间扩展到现在的二维空间。经实测，磁头上方的磁敏元件灵敏度大于下方元件，输出信号相位差在 00～1800 之间，信噪比在......
    6. 《扩展到可见光波段的磁阻效应增强型光电传感器》PDF+DOC 把锑化铟－铟共晶体薄膜磁阻元件置于偏磁系统中，用红光脉冲照射，可以使它的输出信号增强。把灵敏度为 Ｋ１－３ ５，Ｋ２＝１．０ ２（Ｂ＝０．３ Ｔ）的两个磁阻元件，置于 Ｂ＝０．２Ｔ偏磁系统中，用峰值波长λｐ＝６６０ｎｍ的红光照射，发现输出电压Ｖｏｕｔ比没有偏磁场存在时增大３．１倍。...
    7. 《InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器》PDF+DOC 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ，并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ，待测的 5 0Hz交流电流在...
    8. 《ZMC系列磁阻电流传感器及其应用》PDF+DOC 本文介绍美国ＺＥＴＥＸ公司生产的ＺＭＣ系列薄膜磁阻电流传感器的原理、结构、特点、技术参数和应用电路。...
    9. 《锑化铟磁敏电阻的研究》PDF+DOC 讨论了锑化铟(InSb)磁敏电阻的工作原理、设计与制备工艺，并介绍了InSb磁敏电阻作为一种非接触敏感器件的典型应用。...
    10. 《薄膜磁阻齿轮传感器》PDF+DOC 齿轮传感器是Ni—Fe合金薄膜磁阻元件的一种重要的应用。本文介结采用Ni—Fe合金薄膜的磁敏电阻元件制成的齿轮传感器的原理、结构、特点、技术参数和应用。...

    提示：百度云已更名为百度网盘（百度盘），天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。