作者：隋丽,石庚辰 单位：西安机电信息研究所;机电工程与控制国家级重点实验室;中国兵工学会 出版：《探测与控制学报》2003年第S1期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXDYX2003S10150 DOC编号：DOCXDYX2003S10159 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 一般的压阻式硅微加速度传感器结构多采用单梁加质量块的形式 ，这种形式的传感器灵敏度比较高 ，但它的横向效应较难克服 ，文中提出一种四梁结构的加速度传感器 ，通过仿真计算 ，说明该结构的加速度传感器具有良好的综合特性

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