作者：胡明,崔梦,田斌,窦燕巍 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》2004年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG2004040070 DOC编号：DOCYDSG2004040079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 简要介绍了MEMS的发展状况及CMOS工艺在MEMS中的地位。主要介绍了pre-CMOS，interme-diate-CMOS和post-CMOS三种不同的CMOSMEMS工艺。详细讨论了CMOSMEMS今后将面临的挑战及其未来应用领域，最后，根据国内情况对我国CMOSMEMS的发展提出了建议。

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