作者： 单位：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 出版：《中国光学》2004年第02期 页数：14页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFZGGA2004020160 DOC编号：DOCZGGA2004020169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 光探测与器件 TL816．5∥TN366 2004021294 电子轰击型PSD器件的研究与应用=Study and application of a electron bombing PSD device[刊，中]／富丽晨(长春理工大学光电子技术研究所．吉林，长春(130022))，李野…∥红外技术．—2003，25(2)．—51-53，59 介绍了新型半导体光电位敏器件(PSD)的独特优点，同时根据极微弱光探测的应用需求，提出了电子轰击型新概念器件EBPSD，研究了它的制作原理，并对已制出的器件进行了半导体增益测试。其结果表明，入射电子能量2 keV时增益大于10~2；5keV时增益可达10~3，证实了这种器件的优越性。还将(EBPSD)器件和微通道板相结合，充分利用微通道板的高增益特性，提出了电子增益高达10~8的MCP-PSD管设计方案，并制出了样管，指出这种器件可用于低于10~(-7)lx极微弱光图像的光子计数探测。图3参4(严寒)

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