作者：李绍恒,王晓雯,杨正川,吴东阁 单位：沈阳仪表科学研究院有限公司 出版：《仪表技术与传感器》2004年第11期 页数：2页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYBJS2004110030 DOC编号：DOCYBJS2004110039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 介绍了利用真空蒸镀的方法制作SiO钝化膜的工艺技术，并对工艺中的关键工艺、出现的问题进行了分析，给出了解决方案。最后介绍了SiO作为钝化膜在低功耗磁阻传感器中的成功应用，包括SiO的蒸发工艺参数、光刻腐蚀工艺。低功耗磁阻传感器的敏感膜由Co、Ni薄膜组成，由于Co、Ni材料的特殊性(容易氧化)，以致常用的高温钝化膜不能应用在这一领域。SiO钝化膜的成功研制使得低功耗磁阻传感器的灵敏度和可靠性有较大程度的提高，生产成本也进一步降低。

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