作者:张卫国,李子轩,姜世圣,谢仁鑫,姚素薇,王宏智 单位:国家仪表功能材料工程技术研究中心;重庆仪表材料研究所;中国仪器仪表学会仪表材料学会 出版:《功能材料》2015年第24期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGNCL2015240240 DOC编号:DOCGNCL2015240249 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《巨磁电阻传感器》PDF+DOC2000年第05期 颜冲,于军,周文利,王耘波,谢基凡,高俊雄 《低矫顽力GMR磁传感器及其单畴模型的研究》PDF+DOC2007年第Z1期 刘鹏,李伟,叶双莉,任天令,刘理天 《巨磁阻抗效应及其应用》PDF+DOC2002年第04期 董延峰,王治,丁燕红 《磁电子学的应用进展》PDF+DOC2001年第05期 颜冲,于军,王耘波,周文利,高俊雄,周东祥 《巨磁电阻传感器对铁磁流体的动态检测》PDF+DOC2011年第05期 石海平,冯洁,陈翔,李福泉 《巨磁电阻(GMR)传感器芯片技术背景简介》PDF+DOC2011年第10期 《基于巨磁电阻位移传感器的固体热胀系数测量》PDF+DOC2009年第06期 康伟芳 《巨磁电阻效应在国防领域中的应用》PDF+DOC2009年第07期 赵维明,王明东,张加深,苗琦 《硅基磁电阻传感特性测试与分析》PDF+DOC2013年第05期 王芬 《江苏多维科技TMR磁传感器芯片一举打破了国外的技术垄断》PDF+DOC2011年第08期
  • 采用双槽电沉积法制备了巨磁电阻(Giant Magnetorsistance;GMR)材料[NiFe/Cu/Co/Cu]_n多层纳米线阵列,并以其为磁传感器芯片,设计并制备了GMR位移传感器,在不同温度下测试了其灵敏度。研究表明,该GMR位移传感器的输出电压与位移具有较好的线性关系,在10~40℃环境温度内具有良好的稳定性。与[NiF e/Cu/Co/Cu]_n多层膜作传感器芯片相比,以[NiFe/Cu/Co/Cu]_n多层纳米线作为芯片时传感器灵敏度更高。

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