作者：刘俊,郑瑞伦,段昌奎,代波 单位：重庆邮电大学 出版：《重庆邮电大学学报(自然科学版)》2004年第03期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCASH2004030260 DOC编号：DOCCASH2004030269 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以NiFeNb为新种子层，采用直流磁控溅射法制备了具有不同Nb含量(x)、种子层厚度(d)和NiFe厚度(t)的(Ni82Fe18)(1-x)Nbx(dA)/Ni82Fe18(tA)/Ta(30A)纳米级坡莫合金系列膜，并对部分样品进行了中温退火。测量了样品的磁电阻曲线和微结构。从实验角度研究了零场电阻率(ρ)随x、d、t及退火的变化。结果表明，NiFeNb作为种子层能较大地提高坡莫合金薄膜的ρ；一定厚度坡莫合金薄膜的ρ极大的最佳工艺条件是x约为27.5，d约为27.5A；不同Nb含量、种子层厚度等工艺条件引起坡莫合金薄膜具有不同颗粒粒径分布，从而引起4s↓电子受到的内禀散射、颗粒表面和边界散射及其关系的不同，再加上织构、4s↓电子球对称性受破坏程度和薄膜均匀程度的不同导致了零场电阻率随工艺条件的变化。

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