作者：孙学光,黄为民 单位：中国工程热物理学会;中国科学院工程热物理研究所 出版：《工程热物理学报》2004年第S1期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGCRB2004S10400 DOC编号：DOCGCRB2004S10409 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • Bridgman生长方法已经广泛的应用于融化时大的单晶体生长计算。在生长过程中液体固体分界面位置和形状对生长控制十分重要但难检测。利用许多半导体材料固体和液体状态的电导率的区别，用涡电流检测对生产控制。本文也对选择相应的固态材料对GaAs生长进行冷态实验进行了可行性分析。

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