作者：韩泾鸿,徐磊,张虹,顾丽波 单位：中国电子学会 出版：《电子学报》2004年第08期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZXU2004080360 DOC编号：DOCDZXU2004080369 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 依据光寻址电位传感器 (LAPS)工作原理和光生载流子在硅片中扩散理论 ，提出了一种正面光照的LAPS新结构设计 ，在正面光照方式的测量池、插件式芯片和硅尖阵列芯片等方面具有创新性 .新型LAPS的光电流信号比背面照射的提高了 4倍 ；在检测标准缓冲溶液pH4 0 0、pH6 86、pH9 18的pH值时 ，线性相关系数 0 9999，灵敏度为 5 0 1mV/pH .重复检测pH9 18标准缓冲溶液四次的标准偏差和变异系数分别为 0 5 7mV、0 0 4 8% .最后 ，分析讨论了三电极测量方法和新型LAPS结构特色、以及LAPS电解质电导对光电流的影响等 。

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