作者：林晓春,郭艳艳,向健勇,郑亚娥 单位：中国电子科技集团第四十四研究所 出版：《半导体光电》2004年第01期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTG2004010230 DOC编号：DOCBDTG2004010239 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 为使半导体产品达到所要求的光学、电子和机械性能，必须实时地在沉积过程中直接测量薄膜应力。介绍了一种简便的薄膜应力测量装置方案，它可进行各种单晶、多晶和非晶结构材料沉积过程的现场应力测量，灵敏度优于2.5&#215；106Pa，精度优于5%。该方案具有结构简单、测量速度快、适应性强等特点，可以应用于半导体集成电路生产线的薄膜生长过程控制检测。

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