《Ni诱导SiGe薄膜晶化烧结制备与热电势氢传感器件》PDF+DOC
作者:全宇军,邱法斌,申宇爽,村山宣光
单位:沈阳仪表科学研究院有限公司
出版:《仪表技术与传感器》2004年第11期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYBJS2004110040
DOC编号:DOCYBJS2004110049
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在玻璃衬底上采用RF溅射法制备非晶SiGe薄膜的基础上,采用金属Ni诱导法对所制备的薄膜进行晶化烧结,并以Pt催化氢氧化放热反应和SiGe薄膜的热电势效应为原理制备出了小型热电势氢传感器。测试表明:以500℃烧结所得SiGe薄膜材料为敏感基体,在100℃工作温度下所制备的传感器对3%H2灵敏度为0 7mV,检测的浓度范围大约为0 02%~5%,且输出电压随着烧结温度的升高而升高。
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