《MISiC氢敏传感器物理模型及特性模拟》PDF+DOC
作者:徐静平,韩弼,黎沛涛,钟德刚,吴海平
单位:中国微米纳米技术学会;东南大学
出版:《传感技术学报》2004年第01期
页数:5页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGJS2004010070
DOC编号:DOCCGJS2004010079
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分析了金属 绝缘体 SiC(MISiC)肖特基势垒二极管 (SBD)气体传感器的响应机理 ,将SBD热电子发射理论和氢吸附 解吸理论相结合 ,通过考虑势垒高度调制效应以及理想因子随外界条件的变化 ,建立了MISiCSBD气体传感器物理模型 ,模拟结果与实验十分吻合。采用此模型 ,分析了器件特性与绝缘层厚度的关系 ,并在灵敏度、可靠性和工作电流 /电流分辨率诸因素之间其进行了优化设计 ,对于 30 0℃左右的高温应用 ,确定出最佳绝缘层厚度为2~ 2 .3nm。
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