作者:钟德刚,徐静平 单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版:《压电与声光》2004年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYDSG2004020070 DOC编号:DOCYDSG2004020079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 报道了采用NO直接氧化制备氮化氧化物作为绝缘层制备高性能Si基MOS肖特基二极管式气体传感器(SDS)的技术。实验结果显示,MOS肖特基二极管式气体传感器具有高的响应灵敏度和好的响应重复性,可以探测浓度约为10-6的氢气。因此,采用NO直接氧化法制备绝缘层是一种制备高可靠、高灵敏度Si基MOSSDS的技术。

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