作者：陈德英,茅盘松,张旭,王强 单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版：《固体电子学研究与进展》2004年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGTDZ2004030090 DOC编号：DOCGTDZ2004030099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 讨论了硅的压阻效应 ，利用简化的力学模型设计了高 g值压阻加速度传感器的结构参数、工艺流程和版图 ，并制备出样品 ，测试结果表明本传感器加速度可大于 80 0 0 g。

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