《新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器》PDF+DOC

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2. 《新型InSb-In薄膜磁阻式振动传感器的设计》PDF+DOC 介绍了一种用InSbIn共晶体薄膜磁敏元件制成的准全方位振动传感器。它由两对对称轴方向互相垂直的InSbIn磁敏元件构成，可将检测方位范围由一维扩展到现在的二维平面，并用单片机P87LPC760对传感器信号进行处理，应用中可提高检测信号的准确性。经实测，在机械振动的中低频率检测范围内，传感器的有效频......
3. 《基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用》PDF+DOC 介绍了一种用InSb-In共晶体薄膜磁阻元件制成的电流传感器(MRCS)。为了检测微弱电流，此种电流传感器利用同时改变两个InSb-In磁阻元件阻值的途径来实现这一目的，设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为50~10000倍、，待测的50Hz交流电流在50mA~1......
4. 《磁阻效应增强型锑化铟红外光电传感器》PDF+DOC 发现锑化铟一铟共晶体磁阻元件被置于偏磁系统后 ，对脉冲变化的红外光的照射 ，它的输出信号增强了。采用灵敏度 K1=3 .6 ，K2 =1 .0 2 (B=0...
5. 《准全方位InSb-In磁阻式振动传感器》PDF+DOC 本文最新研制了一种用锑化铟-铟(InSb-In)共晶体薄膜磁阻制成的准全方位振动传感器。其半导体磁头由位于上下方的两对方向垂直的 InSb-In 磁敏元件构成，将检测方位范围由一维空间扩展到现在的二维空间。经实测，磁头上方的磁敏元件灵敏度大于下方元件，输出信号相位差在 00～1800 之间，信噪比在......
6. 《扩展到可见光波段的磁阻效应增强型光电传感器》PDF+DOC 把锑化铟－铟共晶体薄膜磁阻元件置于偏磁系统中，用红光脉冲照射，可以使它的输出信号增强。把灵敏度为 Ｋ１－３ ５，Ｋ２＝１．０ ２（Ｂ＝０．３ Ｔ）的两个磁阻元件，置于 Ｂ＝０．２Ｔ偏磁系统中，用峰值波长λｐ＝６６０ｎｍ的红光照射，发现输出电压Ｖｏｕｔ比没有偏磁场存在时增大３．１倍。...
7. 《InSb-In共晶体薄膜磁阻式电流传感器》PDF+DOC 介绍一种用锑化铟—铟 (InSb -In)共晶体薄膜磁阻元件 (MR)制成的电流传感器 (MRCS) ，并设计了一种能较大幅度增大其输出电压的信号处理电路。当处理电路的电压增益为 80db ，待测的 5 0Hz交流电流在...
8. 《InSb-In磁阻式角度传感器温度特性研究》PDF+DOC 研究发现 ，在磁阻元件构成的角度传感器中 ，由于生产工艺造成的磁阻元件的不对称性与InSb In磁阻元件本身的温度特性的综合导致了传感器输出的温漂。本文从该传感器结构与工作原理出发 ，分析了输出温漂的成因 ，并针对实际生产的情况 ，提出了一种简便的补偿方案 ，给出了相应的计算方法。...
9. 《薄膜磁阻齿轮传感器》PDF+DOC 齿轮传感器是Ni—Fe合金薄膜磁阻元件的一种重要的应用。本文介结采用Ni—Fe合金薄膜的磁敏电阻元件制成的齿轮传感器的原理、结构、特点、技术参数和应用。...
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