作者:张为,姚素英,张生才,赵毅强,张维新 单位:西安交通大学 出版:《西安交通大学学报》2004年第02期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFXAJT2004020170 DOC编号:DOCXAJT2004020179 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器》PDF+DOC2015年第04期 何洪涛,王伟忠,杜少博,胡立业,杨志 《陶瓷压阻式机油压力传感器研制》PDF+DOC2017年第05期 邬林,陈丛,钱江蓉,赵潇,胡国俊 《一种MEMS高温压力传感器》PDF+DOC2016年第06期 王伟忠,何洪涛,卞玉民,杨拥军 《一种SOI高温压力传感器敏感芯片》PDF+DOC2014年第04期 王伟,梁庭,李赛男,洪应平,葛冰儿,郑庭丽,贾平岗,熊继军 《用有限元仿真计算压阻式MEMS压力传感器的输出》PDF+DOC2010年第08期 孙小龙 《MEMS SOI高温压力传感器芯片》PDF+DOC2018年第11期 郭玉刚,饶浩,陶茂军,田雷,吴佐飞 《多晶硅高温压力传感器的芯片内温度补偿》PDF+DOC2004年第01期 庞科,张生才,姚素英,张为 《压阻式压力传感器及其应用电路设计》PDF+DOC2002年第05期 才滢,毕鹏 《碳化硅高温压力传感器的研究进展与展望》PDF+DOC2011年第01期 庞天照,严子林,唐飞,王晓浩 《基于压力传感器封装的波纹膜片的结构研究》PDF+DOC2008年第12期 刘元浩,赵立波,赵玉龙,蒋庄德,田边,孟超
  • 采用有限元分析工具ANSYS完成了一种矩形弹性膜绝缘体上硅(SOI)高温压力传感器的优化设计,制作出样品,并与相同结构、工艺的多晶硅压力传感器进行了对比测试.结果表明:1∶2的膜片宽长比可以使SOI压力传感器的灵敏度达到220mV/MPa,远大于多晶硅压力传感器的灵敏度(约50mV/MPa).此外,该传感器能够工作在200℃的高温环境中,有良好的长期稳定性,30d内的零点时间漂移为0 12%。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。