作者：徐肯,王绍清,冯勇建 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《半导体技术》2004年第11期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTJ2004110020 DOC编号：DOCBDTJ2004110029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 介绍了一种用硅–硅键合MEMS技术制作的高温电容式压力传感器，并给出了详细的制作工艺。文中对测试装置、测试电路进行了介绍和深入分析，最后用此测试电路对制作的传感器器件进行了高温测试，测试结果表明这种微传感器可在低于350℃的条件下正常工作，且具有很大的线性工作范围、良好的稳定性和较高的灵敏度，其应用前景十分广阔。

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