作者：霍明学,曲凤秋,王喜莲,刘晓为,陈强,陈伟平,张宏华 单位：哈尔滨工业大学 出版：《哈尔滨工业大学学报》2004年第08期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHEBX2004080290 DOC编号：DOCHEBX2004080299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 体硅工艺微振动传感器与表面工艺微振动传感器相比，具有灵敏度高、噪声低等优点.本文研制的体硅工艺微振动传感器，其敏感单元为叉指电极结构，弹性梁采用新颖的多级折梁结构.利用硅深槽刻蚀技术(ICP)制作微振动传感器，ICP的最大刻蚀深度可达400μm，最小线条宽度小于1μm.传感器的灵敏度可达56 8fF/g，测量范围-5g～5g，抗过载能力高于1000g，共振频率为2 5kHz。

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