作者：韩弼,徐静平,黎沛涛,李艳萍 单位：中国微米纳米技术学会;东南大学 出版：《传感技术学报》2004年第02期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGJS2004020270 DOC编号：DOCCGJS2004020279 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 采用N2 O氮化氧化技术制备氮化氧化物作为绝缘层制备金属 -绝缘体 -SiC(MISiC)肖特基势垒二极管(SBD)气体传感器的技术 ，对传感器的响应特性进行了研究。实验结果表明 ，N2 O工艺能明显改善栅绝缘层和衬底之间的界面特性从而提高传感器的性能 ，可在高温 (如 30 0℃ )等恶劣环境下长期可靠的工作 ，且适当增加绝缘层厚度有助于传感器灵敏度和可靠性的改进。

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