作者:程保罗,李昕欣,王跃林,焦继伟,车录锋,张鲲,戈肖鸿,宋朝晖 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》2005年第01期 页数:3页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS2005010030 DOC编号:DOCYBJS2005010039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 介绍了一种全新的体硅微机械工艺,可以取代SOI硅片而直接在普通硅片上对不同的侧壁电学导通部分进行绝缘。该工艺在DRIE形成的绝缘深沟内进行SiO2绝缘薄膜填充,并用填充后形成的SiO2条对器件侧壁进行电学绝缘。对于该工艺的原理、可能出现的问题、制作流程的摸索等进行了探讨,并且给出使用该工艺实现的一个带自检驱动功能的加速度计。该加速度计采用压阻原理,器件的压阻敏感电阻部分,通过在侧面进行半导体杂质扩散而形成。

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