作者：祁雪,黄庆安,秦明,张会珍,樊路加 单位：东南大学 出版：《电子器件》2005年第04期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZQJ2005040120 DOC编号：DOCDZQJ2005040129 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 分析了阳极键合工艺的原理及其工艺条件对CMOS电路的影响，并通过理论分析和实验研究了单片集成MEMS中的两种阳极键合方法：对于玻璃在硅片上方的键合方式，通过在电路部分上方玻璃上腐蚀一定深度的腔及用氮化硅层保护电路可以在很大程度上减轻阳极键合工艺的影响；而玻璃在硅片下方的键合方式，硅片上的电路几乎不受阳极键合工艺的影响，两种方法各有优缺点。

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