作者： 单位：中国科学院电子学研究所;中国科学院文献情报中心 出版：《中国无线电电子学文摘》2005年第03期 页数：18页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWCWZ2005030060 DOC编号：DOCWCWZ2005030069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • TN2 2005030056 1MeV电子辐照对碲镉汞中波光导器件的影响/乔辉，贾嘉，陈新禹， 李向阳，龚海梅(中国科学院上海技术物理所)//红外与毫米波学报.- 2004，23(3).-172-175 研究了1MeV电子辐照对中波碲镉汞光导器件的影响.通过测试辐照前后光导器件的室温和低温体电阻、响应光谱、电流响应率和探测率等性能参数，结果发现经过电子辐照，器件的峰值和截止波长在辐照后向短波方向移动.在辐照剂量大于1015/cm2，器件的室温电阻和响应率明显下降.探测率由于噪声的影响无明显变化趋势。图5参7(李)

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