作者:周鑫,朱大中,郭维 单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版:《压电与声光》2005年第04期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYDSG2005040300 DOC编号:DOCYDSG2005040309 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 基于标准N阱互补金属氧化物半导体集成电路(CM O S)工艺,设计了P+/N-w e ll/P-sub光电管结构和传统的N+/P-sub光电管结构的有源像素单元。像素单元面积为100μm×100μm,感光面积百分比分别为77.6%和89%,采用了上华0.6μm两层金属两层多晶硅CM O S工艺研制。测试分析结果表明P+/N-w e ll/P-sub结构在暗电流大小,光照响应信号大小,感光灵敏度和感光动态范围上均优于传统的N+/P-sub结构。通过改变复位信号频率,将P+/N-w e ll/P-sub结构像素的感光动态范围提高到139.8 dB,改善了有源像素的感光性能。

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