作者：孙德玉,马洪江 单位：中国电子科技集团公司第四十七研究所 出版：《微处理机》2016年第02期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFWCLJ2016020030 DOC编号：DOCWCLJ2016020039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 基于MEMS器件的特殊结构，介绍了硅基电容式传感器MEMS器件刻蚀工艺的实现，工艺包含厚膜光刻、双面对准套刻和深沟槽刻蚀等难点。通过调整掩蔽层光刻胶的厚度，保持较高线宽分辨率的同时实现了硅片深沟槽的刻蚀加工；采用俄罗斯5026A型双面光刻机实现了硅片的对准套刻，成功实现了电容式传感器器件结构的刻蚀工艺，为用户提供了满意的产品，证明了该刻蚀工艺的可行性和实用性。

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