作者:应贤炜,王建浩,王佃利,刘洪军,严德圣,顾晓春 单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版:《固体电子学研究与进展》2016年第03期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGTDZ2016030060 DOC编号:DOCGTDZ2016030069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。

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