《1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制》PDF+DOC
作者:应贤炜,王建浩,王佃利,刘洪军,严德圣,顾晓春
单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所)
出版:《固体电子学研究与进展》2016年第03期
页数:6页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGTDZ2016030060
DOC编号:DOCGTDZ2016030069
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针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。
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