作者：干宁 单位：中国广州分析测试中心;中国分析测试协会 出版：《分析测试学报》2005年第06期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFTEST2005060020 DOC编号：DOCTEST2005060029 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 将铜离子共价键合到自组装在Au电极表面的乙酰半胱胺单分子层上，获得了乙酰半胱胺铜自组装单分子膜修饰电极(CuACYS CME)，研究了它的电化学性质，并采用扫描电子显微镜(SEM)，X射线荧光仪(XRFS)，X射线光电子能仪(XPS)以及循环伏安法(CV)对该电极表面进行了表征。在pH 3.0时，循环伏安图显示Cu修饰层存在一对氧化还原峰，其峰电位分别为Vp1a=246 mV，Vp1c=101 mV(vs.SCE)。它的表面电子转移系数α为0.52，速率常数Ks=0.04 s-1，表面覆盖度Γ=1.2&#215；10-10mol/cm2，属于单分子层吸附。在pH 2.0~5.0的NaAc底液中，该电极对NO的还原有催化作用，pH 3.0时NO的还原过电位为VpcⅡ=-672 mV，较在裸电极上(-1.1V)降低了约600 mV，采用示差脉冲伏安法(DPV)测定催化电流与NO的浓度在3.1&#215；10-9~4.7&#215；10-8mol/L范围内呈良好的线性关系。NO催化还原过程的异相电子转移速率常数为3.12&#215；10-3cm/s。

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